ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

BYG24G-M3/TR

حصہ اسٹاک: 160213

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

حصہ اسٹاک: 141773

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 131968

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 182415

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 178714

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 104636

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 136458

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 128490

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 129800

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1300V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.9V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 120649

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 155324

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 188118

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 135545

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

حصہ اسٹاک: 137182

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 196477

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

حصہ اسٹاک: 116559

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 167113

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 151425

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 167334

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 177836

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

حصہ اسٹاک: 116100

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

حصہ اسٹاک: 126510

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 113240

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 197556

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 112695

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 164441

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

حصہ اسٹاک: 174425

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 199071

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 120482

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 162395

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 109092

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

حصہ اسٹاک: 111717

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 162156

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 131985

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

حصہ اسٹاک: 142403

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 178334

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست