Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل

  • گھر
  •  
  • ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

حصہ اسٹاک: 183725

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG20JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 115069

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG10G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 197411

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 133472

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 189054

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 154231

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 129432

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG20JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 181553

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 177768

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 144093

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 138230

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG24J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 163164

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG20G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 107656

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 135582

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 187643

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG10KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 141453

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 151105

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 110757

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG10KHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 163338

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG21KHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 160116

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 174275

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 159460

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG20GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 116335

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG21KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 199885

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 187956

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

حصہ اسٹاک: 199372

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 176378

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG20JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 183930

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

حصہ اسٹاک: 155546

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG21KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 125757

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG20DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 196711

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 186120

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG20DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 139157

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 185358

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG10MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 310

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

حصہ اسٹاک: 195437

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست