Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل

  • گھر
  •  
  • ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل
BYG23M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

حصہ اسٹاک: 194309

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 192644

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 125355

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG10KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 131683

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 113290

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 185055

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG10Y-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 180703

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG21K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 162491

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG24JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 132072

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 136967

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG20J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

حصہ اسٹاک: 178639

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG24D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 156019

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 190141

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG22BHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 171388

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 102534

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG22B-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 173966

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG20GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 115903

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 182526

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 172130

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 108801

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG20D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 111269

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 118403

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG22A-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 119326

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG10D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

حصہ اسٹاک: 190073

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 103238

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 180365

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

حصہ اسٹاک: 170299

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 116233

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG10MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 112902

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 132466

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYG24G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 181386

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 194033

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG24JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 123257

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 130377

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYG24G-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 175101

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
BYG22BHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 102483

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست