ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

BYM12-300HE3_A/H

حصہ اسٹاک: 273

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 300V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

حصہ اسٹاک: 146674

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

حصہ اسٹاک: 150291

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 500ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

حصہ اسٹاک: 108452

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 150mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 250mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

حصہ اسٹاک: 154468

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 30mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

حصہ اسٹاک: 158822

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 30mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

حصہ اسٹاک: 159155

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

حصہ اسٹاک: 197051

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 150mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 10mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

حصہ اسٹاک: 122405

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 900mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

حصہ اسٹاک: 119842

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 100mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 200mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

حصہ اسٹاک: 148532

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 125V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 30mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

حصہ اسٹاک: 128512

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 30mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

حصہ اسٹاک: 196580

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 100mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 200mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

حصہ اسٹاک: 102104

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

حصہ اسٹاک: 107935

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 900mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

حصہ اسٹاک: 101978

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

حصہ اسٹاک: 109507

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

حصہ اسٹاک: 182695

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 800mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

حصہ اسٹاک: 142042

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 20V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

حصہ اسٹاک: 194217

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

حصہ اسٹاک: 116168

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

حصہ اسٹاک: 118002

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

حصہ اسٹاک: 110674

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 50mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

حصہ اسٹاک: 116604

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 30mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

حصہ اسٹاک: 189935

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

حصہ اسٹاک: 111895

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 20V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

حصہ اسٹاک: 123251

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 370mV @ 1mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

حصہ اسٹاک: 184839

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 800mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

حصہ اسٹاک: 175613

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 130523

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 112559

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 191280

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 2A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

حصہ اسٹاک: 131337

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

حصہ اسٹاک: 166092

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 116282

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 173970

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست