Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل

  • گھر
  •  
  • ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل
1N5397GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 961

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5398GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5398GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 948

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5393GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 898

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5395GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 948

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5391GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 951

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5062GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 973

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5061GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5061GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 911

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5059GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5059GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 906

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N5060GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 5137

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4948GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 970

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 500ns,

خواہش کی فہرست
1N4947GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 927

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست
1N4944GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4944GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 5160

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست
1N4946GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 904

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست
1N4936GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 893

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
1N4937GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPEHE3/54

حصہ اسٹاک: 898

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
1N4934GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 964

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
1N4935GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 978

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
1N4934GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPEHE3/54

حصہ اسٹاک: 970

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
1N4933GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 929

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
1N4586GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 940

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4385GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4385GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 919

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4384GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 989

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4383GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4383GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 892

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4249GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 928

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
1N4248GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4248GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 966

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
1N4247GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4247GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 904

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
1N4007GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 900

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4246GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4246GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 986

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
1N4006GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 959

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4005GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 949

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4004GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 891

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4005GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPEHE3/54

حصہ اسٹاک: 913

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4003GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 979

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4002GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 887

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4003GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPEHE3/54

حصہ اسٹاک: 921

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
1N4001GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPEHE3/54

حصہ اسٹاک: 959

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست