ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

1N4005GPEHE3/53

حصہ اسٹاک: 1941

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPHM3/73

حصہ اسٹاک: 1936

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GP-M3/73

حصہ اسٹاک: 5247

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPHM3/73

حصہ اسٹاک: 1932

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-M3/73

حصہ اسٹاک: 1927

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/91

حصہ اسٹاک: 1899

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/93

حصہ اسٹاک: 1895

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/93

حصہ اسٹاک: 130021

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GP-M3/73

حصہ اسٹاک: 1879

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/91

حصہ اسٹاک: 168244

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPEHE3/91

حصہ اسٹاک: 1920

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPEHE3/91

حصہ اسٹاک: 1917

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-M3/73

حصہ اسٹاک: 1879

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GP-M3/73

حصہ اسٹاک: 1884

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 1939

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WSFL-G3-08

حصہ اسٹاک: 1885

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 150mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148WFL-G3-08

حصہ اسٹاک: 1855

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 150mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 1621

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/73

حصہ اسٹاک: 1693

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 5181

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 5214

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 1543

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 1550

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5622GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 1606

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 1547

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448-A

حصہ اسٹاک: 1348

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 500mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 10mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GP-M3/54

حصہ اسٹاک: 1322

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-M3/54

حصہ اسٹاک: 1314

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/73

حصہ اسٹاک: 1303

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GPHM3/73

حصہ اسٹاک: 1277

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHM3/73

حصہ اسٹاک: 5206

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPHE3/53

حصہ اسٹاک: 1279

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPEHE3/53

حصہ اسٹاک: 1330

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4942GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 1220

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 1159

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPEHE3/54

حصہ اسٹاک: 1156

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست