ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

1N4947GPHE3/73

حصہ اسٹاک: 1197

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GPHE3/73

حصہ اسٹاک: 1148

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GPHE3/73

حصہ اسٹاک: 1165

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPEHE3/73

حصہ اسٹاک: 1209

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5400-E3/51

حصہ اسٹاک: 1125

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP/54

حصہ اسٹاک: 5197

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 500ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06FP

حصہ اسٹاک: 1116

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 15A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 3.2V @ 15A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 32ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

15ETX06S

حصہ اسٹاک: 1053

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 15A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 3.2V @ 15A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 32ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045STRR

حصہ اسٹاک: 1057

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 570mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035STRL

حصہ اسٹاک: 1059

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 18A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 18A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045STRL

حصہ اسٹاک: 1030

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 570mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04STRL

حصہ اسٹاک: 1014

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12FP

حصہ اسٹاک: 1109

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.33V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 310ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12S

حصہ اسٹاک: 1028

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.33V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 310ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ040

حصہ اسٹاک: 1059

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 660mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045

حصہ اسٹاک: 1090

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 18A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 18A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10BQ060

حصہ اسٹاک: 1059

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04S

حصہ اسٹاک: 1037

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045

حصہ اسٹاک: 1046

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 760mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819/54

حصہ اسٹاک: 1075

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5817/54

حصہ اسٹاک: 982

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 20V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GP/1

حصہ اسٹاک: 1000

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 500ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003/54

حصہ اسٹاک: 1034

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 912

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 915

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 919

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 996

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 5104

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 300ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5623GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 977

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 500ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 992

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 919

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 995

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 5128

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 954

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 960

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GPHE3/54

حصہ اسٹاک: 985

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست