Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل

  • گھر
  •  
  • ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

حصہ اسٹاک: 163646

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

حصہ اسٹاک: 164701

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 25V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 500mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

حصہ اسٹاک: 120803

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

حصہ اسٹاک: 32260

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

حصہ اسٹاک: 152834

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

حصہ اسٹاک: 179080

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

حصہ اسٹاک: 111335

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 150mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 6ns,

خواہش کی فہرست
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 106669

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 500mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

حصہ اسٹاک: 155089

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

حصہ اسٹاک: 142318

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

حصہ اسٹاک: 170231

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 800mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

حصہ اسٹاک: 136941

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 70V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 70mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

حصہ اسٹاک: 34922

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 500mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

حصہ اسٹاک: 34902

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 500mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

حصہ اسٹاک: 101393

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

حصہ اسٹاک: 123083

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

حصہ اسٹاک: 116833

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

حصہ اسٹاک: 158520

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 2400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 350mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 3.6V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5µs,

خواہش کی فہرست
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

حصہ اسٹاک: 193530

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.25A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.5V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 100ns,

خواہش کی فہرست
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

حصہ اسٹاک: 170950

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

حصہ اسٹاک: 122124

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.4A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

حصہ اسٹاک: 153002

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 600mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 400mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 6ns,

خواہش کی فہرست
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

حصہ اسٹاک: 121947

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

حصہ اسٹاک: 187035

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 2.5V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

حصہ اسٹاک: 129989

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

حصہ اسٹاک: 171441

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 2.5V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 30ns,

خواہش کی فہرست
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

حصہ اسٹاک: 152678

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

حصہ اسٹاک: 122331

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.35V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

حصہ اسٹاک: 144972

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

حصہ اسٹاک: 183532

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

حصہ اسٹاک: 134544

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 600mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 400mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 6ns,

خواہش کی فہرست
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

حصہ اسٹاک: 169957

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 2.5V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 30ns,

خواہش کی فہرست
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

حصہ اسٹاک: 177773

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 300ns,

خواہش کی فہرست
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

حصہ اسٹاک: 121386

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 2.5V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

حصہ اسٹاک: 139081

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 165V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.07V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

حصہ اسٹاک: 181381

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.07V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست