Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل

  • گھر
  •  
  • ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل
BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-08

حصہ اسٹاک: 174085

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR

حصہ اسٹاک: 113865

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR

حصہ اسٹاک: 165220

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-08

حصہ اسٹاک: 126850

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 150mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 6ns,

خواہش کی فہرست
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-08

حصہ اسٹاک: 125289

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 800mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/97

حصہ اسٹاک: 128278

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-18

حصہ اسٹاک: 143333

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS281-GS08

حصہ اسٹاک: 182315

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 30mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-18

حصہ اسٹاک: 192905

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 150mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 6ns,

خواہش کی فہرست
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TAP

حصہ اسٹاک: 135103

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 200ns,

خواہش کی فہرست
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/97

حصہ اسٹاک: 138454

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYM36E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TAP

حصہ اسٹاک: 193769

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2.9A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.78V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست
BYV28-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TR

حصہ اسٹاک: 134642

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.35V @ 5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-18

حصہ اسٹاک: 133505

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 70V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 70mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR

حصہ اسٹاک: 190878

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 125V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TR

حصہ اسٹاک: 153878

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 2A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.07V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 25ns,

خواہش کی فہرست
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS83-GS08

حصہ اسٹاک: 115843

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 30mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BY228-15TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TAP

حصہ اسٹاک: 193803

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.5V @ 5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 2µs,

خواہش کی فہرست
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TAP

حصہ اسٹاک: 150982

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/97

حصہ اسٹاک: 109607

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS08

حصہ اسٹاک: 147679

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BAT54-02V-V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-18

حصہ اسٹاک: 175247

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 800mV @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR

حصہ اسٹاک: 119517

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-18

حصہ اسٹاک: 176831

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYV28-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TAP

حصہ اسٹاک: 163502

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 30ns,

خواہش کی فہرست
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/61T

حصہ اسٹاک: 170389

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 720mV @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/H

حصہ اسٹاک: 23260

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BA157GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/54

حصہ اسٹاک: 181076

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-08

حصہ اسٹاک: 190132

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 75V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 150mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 6ns,

خواہش کی فہرست
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-08

حصہ اسٹاک: 102266

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-08

حصہ اسٹاک: 101367

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAV21W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-08

حصہ اسٹاک: 110111

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BAT46W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-08

حصہ اسٹاک: 105403

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 150mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 250mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BAV100-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS08

حصہ اسٹاک: 115219

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 50V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYT78-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TAP

حصہ اسٹاک: 181219

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 250ns,

خواہش کی فہرست
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR

حصہ اسٹاک: 136486

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست