Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل

  • گھر
  •  
  • ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل
BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

حصہ اسٹاک: 17865

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

حصہ اسٹاک: 149622

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

حصہ اسٹاک: 145929

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست
BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

حصہ اسٹاک: 127396

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

حصہ اسٹاک: 102442

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 250mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

حصہ اسٹاک: 135265

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 500ns,

خواہش کی فہرست
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

حصہ اسٹاک: 174638

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 70V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 100mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

حصہ اسٹاک: 165592

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

حصہ اسٹاک: 154481

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 150ns,

خواہش کی فہرست
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

حصہ اسٹاک: 108310

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 200mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 50ns,

خواہش کی فہرست
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

حصہ اسٹاک: 191060

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

حصہ اسٹاک: 119015

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 1A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

حصہ اسٹاک: 164916

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 660mV @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

حصہ اسٹاک: 162130

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 140ns,

خواہش کی فہرست
B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

حصہ اسٹاک: 143315

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 550mV @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

حصہ اسٹاک: 144292

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 20V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 520mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

حصہ اسٹاک: 191605

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 7.5µs,

خواہش کی فہرست
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

حصہ اسٹاک: 189351

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 750mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 136594

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 90V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 750mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

حصہ اسٹاک: 166134

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.9V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 60ns,

خواہش کی فہرست
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 156933

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 75ns,

خواہش کی فہرست
BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

حصہ اسٹاک: 190205

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 100ns,

خواہش کی فہرست
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

حصہ اسٹاک: 180095

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 520mV @ 1A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہش کی فہرست
BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

حصہ اسٹاک: 181153

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 100ns,

خواہش کی فہرست
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

حصہ اسٹاک: 114583

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

حصہ اسٹاک: 141378

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.35V @ 5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 210ns,

خواہش کی فہرست
BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

حصہ اسٹاک: 119683

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.6V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 120ns,

خواہش کی فہرست
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

حصہ اسٹاک: 146611

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3.5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 30ns,

خواہش کی فہرست
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

حصہ اسٹاک: 20320

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

حصہ اسٹاک: 163973

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 100mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

خواہش کی فہرست
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

حصہ اسٹاک: 20300

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.5A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.15V @ 1.5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 4µs,

خواہش کی فہرست
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

حصہ اسٹاک: 177974

ڈایڈڈ قسم: Avalanche, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 7.5µs,

خواہش کی فہرست
BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

حصہ اسٹاک: 105347

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1300V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 3A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 3µs,

خواہش کی فہرست
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

حصہ اسٹاک: 177694

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1V @ 40mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

حصہ اسٹاک: 163088

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

حصہ اسٹاک: 187575

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 200mA (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 450mV @ 15mA, سپیڈ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 5ns,

خواہش کی فہرست