Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے

  • گھر
  •  
  • ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے
SI1034CX-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1034CX-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 141761

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 610mA (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 2536

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 840mA (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQJB68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB68EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 2512

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 181601

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7228DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7228DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 108156

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 26A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ200DT-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2544

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 118929

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912BEP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 2589

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1912EH-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 132067

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 800mA (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7272DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7272DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 110674

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 25A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI4931DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4931DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 180864

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 350µA,

خواہش کی فہرست
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 190253

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 25V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI8902AEDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8902AEDB-T2-E1

حصہ اسٹاک: 3310

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 24V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 28 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ960EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 77437

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA527DJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 180836

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB912DK-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 125137

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 185277

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7942DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-E3

حصہ اسٹاک: 63525

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 86516

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI1036X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1036X-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2514

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 610mA (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 540 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7956DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 44000

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 150V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI1024X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 185794

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 485mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 171457

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIZ730DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 117470

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 16A, 35A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 158519

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI4925DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 189530

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 117423

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 40A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQ4284EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 100159

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 63261

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 160A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQJ958EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 2544

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7942DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 63492

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI1967DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 103126

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI7252DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 70505

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 36.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SQJB42EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 152436

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SI4228DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 190258

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 25V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست
SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF00DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2608

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست