ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 18

SI4952DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 3339

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 25V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2805

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.4A, 960mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4388DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2702

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10.7A, 11.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2899

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 400µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5905DC-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2839

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 8V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2805

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4544DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2824

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4210DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 124384

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5903DC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2754

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6966DQ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2838

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1553DL-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2851

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 660mA, 410mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2898

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2816

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.8A, 7.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1917EDH-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2713

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 450mV @ 100µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2782

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 77131

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 40A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2795

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2730

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, 3.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2824

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 128567

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIA911EDJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2796

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2854

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2790

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.8V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 85796

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2838

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4906DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2797

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

VQ1001P-2

حصہ اسٹاک: 2955

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 830mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4953ADY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 3366

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SQ4946EY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2909

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-E3

حصہ اسٹاک: 3285

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 290mA, 410mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2813

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

VQ1006P-2

حصہ اسٹاک: 2934

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 90V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 400mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2835

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.8A, 7.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6993DQ-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2760

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5905DC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2878

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 8V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2835

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست