ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 18

SI9934BDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2797

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2720

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

VQ1001P

حصہ اسٹاک: 2888

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 830mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6955ADQ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 3376

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7983DP-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2716

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 600µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI8904EDB-T2-E1

حصہ اسٹاک: 2770

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.8A, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.6V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4511DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2835

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.2A, 4.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.8V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2891

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A, 10.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIZ998DT-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 24358

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIA917DJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2760

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5504DC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2750

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 70490

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1970DH-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2698

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.6V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5943DU-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2795

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1035X-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 103062

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 180mA, 145mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 400mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI9936BDY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2912

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI3911DV-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2792

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4565ADY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2757

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.6A, 5.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7945DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2809

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6993DQ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2801

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5905BDC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2802

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 8V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5943DU-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 3377

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5935DC-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2861

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI3586DV-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2865

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIA511DJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2748

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1970DH-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 3345

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.6V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7911DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 3351

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIA914DJ-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2809

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SQJ940EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 137151

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2731

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1025X-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2759

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 190mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1033X-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2716

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 145mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.2V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4544DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2827

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SIS902DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 5353

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 75V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2864

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5504DC-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2847

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہش کی فہرست