ٹرانجسٹرس - بائپولر (بی جے ٹی) - سنگل ، پری بیسڈ | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 6

RN1112(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 1924

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

حصہ اسٹاک: 126227

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1912

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

حصہ اسٹاک: 100188

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1954

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1987

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1976

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1970

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1984

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 300 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 2177

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 70 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1902

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 70 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

حصہ اسٹاک: 9904

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

حصہ اسٹاک: 116634

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

حصہ اسٹاک: 1960

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 300mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 200 @ 4mA, 2V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 2029

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1997

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 300 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 128621

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1985

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 1935

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 70 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1956

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 300 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 2014

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 300 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

حصہ اسٹاک: 176393

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 158736

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

حصہ اسٹاک: 147458

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1999

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

حصہ اسٹاک: 1905

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 1959

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1945

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 100 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 159037

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1965

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 60 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1933

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 3234

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 1981

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

حصہ اسٹاک: 184462

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 140630

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 164879

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست