Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ٹرانجسٹرس - بائپولر (بی جے ٹی) - سنگل ، پری بیسڈ

  • گھر
  •  
  • ٹرانجسٹرس - بائپولر (بی جے ٹی) - سنگل ، پری بیسڈ
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 2145

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

حصہ اسٹاک: 90

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

حصہ اسٹاک: 186078

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

حصہ اسٹاک: 2192

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 1 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 178191

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 171892

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

حصہ اسٹاک: 189

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

حصہ اسٹاک: 146891

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

حصہ اسٹاک: 81

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

حصہ اسٹاک: 162509

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 165156

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 146

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 2124

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 2193

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 70 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 128

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 1 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 188

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 100 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 100 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 100 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 102439

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 3308

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

حصہ اسٹاک: 166487

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 3223

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 147502

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

حصہ اسٹاک: 2025

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 1951

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 2.2 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

حصہ اسٹاک: 135884

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

حصہ اسٹاک: 1906

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 3274

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 300 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 3264

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 80mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

حصہ اسٹاک: 123572

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 4.7 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 30 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 1971

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

حصہ اسٹاک: 197244

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 80 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 3192

ٹرانجسٹر کی قسم: PNP - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 300 @ 1mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1945

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 10 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 60 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 3219

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 70 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 1973

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 22 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 22 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 70 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 1960

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 50mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 20V, مزاحم۔ اساس (R1): 4.7 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 47 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 120 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

حصہ اسٹاک: 1923

ٹرانجسٹر کی قسم: NPN - Pre-Biased, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100mA, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 50V, مزاحم۔ اساس (R1): 47 kOhms, رزسٹر - امیٹر بیس (R2): 10 kOhms, ڈی سی کرنٹ گین (ایچ ایف ای) (کم سے کم) @ آئی سی ، ویس: 50 @ 10mA, 5V,

خواہش کی فہرست