Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

  • گھر
  •  
  • ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل
TPCA8120,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8120,LQ(CM

حصہ اسٹاک: 83086

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 45A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 mOhm @ 22.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

حصہ اسٹاک: 86603

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

خواہش کی فہرست
TK7P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK7P65W,RQ

حصہ اسٹاک: 118054

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 800 mOhm @ 3.4A, 10V,

خواہش کی فہرست
TK5P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P53D(T6RSS-Q)

حصہ اسٹاک: 123262

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 525V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K15AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFU,LF

حصہ اسٹاک: 175836

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

خواہش کی فہرست
TPN11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006NL,LQ

حصہ اسٹاک: 101200

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 17A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
TPH8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R903NL,LQ

حصہ اسٹاک: 115691

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K336R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K336R,LF

حصہ اسٹاک: 142287

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 95 mOhm @ 2A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K116TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU,LF

حصہ اسٹاک: 124084

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

خواہش کی فہرست
TPCP8J01(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8J01(TE85L,F,M

حصہ اسٹاک: 7462

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 32V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 3A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM6K403TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K403TU,LF

حصہ اسٹاک: 160075

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 28 mOhm @ 3A, 4V,

خواہش کی فہرست
TPN6R303NC,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R303NC,LQ

حصہ اسٹاک: 135173

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.3 mOhm @ 10A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K16CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT(TPL3)

حصہ اسٹاک: 100992

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

خواہش کی فہرست
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK2P60D(TE16L1,NQ)

حصہ اسٹاک: 165770

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.3 Ohm @ 1A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K36FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36FS,LF

حصہ اسٹاک: 126626

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 500mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

خواہش کی فہرست
SSM3J332R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J332R,LF

حصہ اسٹاک: 169586

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.8V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 42 mOhm @ 5A, 10V,

خواہش کی فہرست
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH14006NH,L1Q

حصہ اسٹاک: 166914

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 14A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 14 mOhm @ 7A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K513NU,LF

حصہ اسٹاک: 134203

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 15A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8.9 mOhm @ 4A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3J328R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J328R,LF

حصہ اسٹاک: 158450

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 29.8 mOhm @ 3A, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J507NU,LF

حصہ اسٹاک: 126250

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 4A, 10V,

خواہش کی فہرست
TPH6R004PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R004PL,LQ

حصہ اسٹاک: 7474

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 87A (Ta), 49A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6 mOhm @ 24.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002KFU,LF

حصہ اسٹاک: 186902

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 400mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K376R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K376R,LF

حصہ اسٹاک: 7265

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.8V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 56 mOhm @ 2A, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM3J331R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J331R,LF

حصہ اسٹاک: 7291

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 55 mOhm @ 3A, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM3K56ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56ACT,L3F

حصہ اسٹاک: 123517

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM3K335R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K335R,LF

حصہ اسٹاک: 165419

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 38 mOhm @ 4A, 10V,

خواہش کی فہرست
TPH6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R003NL,LQ

حصہ اسٹاک: 185914

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 38A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6 mOhm @ 19A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM6J414TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J414TU,LF

حصہ اسٹاک: 168558

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM3K361R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361R,LF

حصہ اسٹاک: 190687

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 69 mOhm @ 2A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM3K35AMFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35AMFV,L3F

حصہ اسٹاک: 131212

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 250mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.2V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM3K329R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K329R,LF

حصہ اسٹاک: 180365

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.8V, 4V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 126 mOhm @ 1A, 4V,

خواہش کی فہرست
SSM6K361NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K361NU,LF

حصہ اسٹاک: 7288

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 69 mOhm @ 2A, 10V,

خواہش کی فہرست
SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K217FE,LF

حصہ اسٹاک: 166457

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.8V, 8V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 195 mOhm @ 1A, 8V,

خواہش کی فہرست
SSM3K36MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 111367

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 500mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

خواہش کی فہرست
TPC6113(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6113(TE85L,F,M)

حصہ اسٹاک: 100371

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

خواہش کی فہرست
SSM3K341R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K341R,LF

حصہ اسٹاک: 103520

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36 mOhm @ 5A, 10V,

خواہش کی فہرست