ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

TK20G60W,RVQ

حصہ اسٹاک: 54342

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 10A, 10V,

TK11A45D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 44514

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 450V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 620 mOhm @ 5.5A, 10V,

TK2A65D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 57242

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.26 Ohm @ 1A, 10V,

TK8A55DA(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 46566

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 550V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.07 Ohm @ 3.8A, 10V,

TK10A50D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 43511

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 720 mOhm @ 5A, 10V,

TK42A12N1,S4X

حصہ اسٹاک: 45829

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 120V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 42A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.4 mOhm @ 21A, 10V,

TK10A60W,S4X

حصہ اسٹاک: 42830

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 380 mOhm @ 4.9A, 10V,

TPWR8503NL,L1Q

حصہ اسٹاک: 50097

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 150A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 0.85 mOhm @ 50A, 10V,

TK7A60W,S4VX

حصہ اسٹاک: 42986

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

TK6A55DA(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 55376

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 550V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.48 Ohm @ 2.8A, 10V,

TK25E06K3,S1X(S

حصہ اسٹاک: 71708

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 25A (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 12.5A, 10V,

SSM3K56CT,L3F

حصہ اسٹاک: 121178

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 800mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

T2N7002BK,LM

حصہ اسٹاک: 133576

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 400mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

TK8A65W,S5X

حصہ اسٹاک: 37410

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 650 mOhm @ 3.9A, 10V,

TPH2R506PL,L1Q

حصہ اسٹاک: 74767

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.4 mOhm @ 30A, 4.5V,

SSM3K17FU,LF

حصہ اسٹاک: 168684

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

TK9A60D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 40878

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 830 mOhm @ 4.5A, 10V,

TK7Q60W,S1VQ

حصہ اسٹاک: 42695

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

TPCA8057-H,LQ(M

حصہ اسٹاک: 77298

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 42A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.6 mOhm @ 21A, 10V,

TK20V60W5,LVQ

حصہ اسٹاک: 49706

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 190 mOhm @ 10A, 10V,

TK35E10K3(S1SS-Q)

حصہ اسٹاک: 50558

TK8A50DA(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 51534

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.04 Ohm @ 3.8A, 10V,

TPH2R306NH,L1Q

حصہ اسٹاک: 56299

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.3 mOhm @ 30A, 10V,

TK8P60W,RVQ

حصہ اسٹاک: 67781

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 500 mOhm @ 4A, 10V,

TK8A45DA(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 50212

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 450V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.5A (Tc),

TK5A53D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 60088

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 525V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

TPH4R50ANH,L1Q

حصہ اسٹاک: 56335

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

SSM3J56MFV,L3F

حصہ اسٹاک: 150062

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 800mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 1.2V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

TK10A60D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 70019

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 750 mOhm @ 5A, 10V,

TK7A90E,S4X

حصہ اسٹاک: 39467

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2 Ohm @ 3.5A, 10V,

TK5A65D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 51103

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.43 Ohm @ 2.5A, 10V,

TPH5200FNH,L1Q

حصہ اسٹاک: 59713

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 250V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 26A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 52 mOhm @ 13A, 10V,

TK7A50D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 55043

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.22 Ohm @ 3.5A, 10V,

TK5A60D(STA4,Q,M)

حصہ اسٹاک: 52683

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.43 Ohm @ 2.5A, 10V,

TK10P60W,RVQ

حصہ اسٹاک: 55381

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 430 mOhm @ 4.9A, 10V,

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

حصہ اسٹاک: 75921

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 11.2 mOhm @ 30A, 10V,