ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

گھر
ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

C2M1000170J-TR

حصہ اسٹاک: 12544

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

خواہش کی فہرست

C3M0065090J-TR

حصہ اسٹاک: 6828

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0120100K

حصہ اسٹاک: 8031

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 22A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 15A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0120090J-TR

حصہ اسٹاک: 10635

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 22A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 15A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0030090K

حصہ اسٹاک: 2469

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 63A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 39 mOhm @ 35A, 15V,

خواہش کی فہرست

C2M0045170P

حصہ اسٹاک: 2736

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 72A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 59 mOhm @ 50A, 20V,

خواہش کی فہرست

E3M0120090D

حصہ اسٹاک: 3307

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 23A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 15A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0280090J

حصہ اسٹاک: 19166

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0075120K

حصہ اسٹاک: 5595

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0120100J

حصہ اسٹاک: 3965

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 22A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 15A, 15V,

خواہش کی فہرست

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

حصہ اسٹاک: 2177

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 50A (Tj), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 110 mOhm @ 20A, 20V,

خواہش کی فہرست

C2M0025120D

حصہ اسٹاک: 1093

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 90A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 34 mOhm @ 50A, 20V,

خواہش کی فہرست

C3M0280090J-TR

حصہ اسٹاک: 19172

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0065100J

حصہ اسٹاک: 2848

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C2M0080170P

حصہ اسٹاک: 2196

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 40A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 125 mOhm @ 28A, 20V,

خواہش کی فہرست

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

حصہ اسٹاک: 2236

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 28A (Tj), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 220 mOhm @ 10A, 20V,

خواہش کی فہرست

C2M0045170D

حصہ اسٹاک: 866

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 72A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 70 mOhm @ 50A, 20V,

خواہش کی فہرست

C3M0280090D

حصہ اسٹاک: 20168

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0075120J

حصہ اسٹاک: 5794

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0065100K

حصہ اسٹاک: 5808

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0120090J

حصہ اسٹاک: 10579

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 22A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 15A, 15V,

خواہش کی فہرست

CMF20120D

حصہ اسٹاک: 976

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 42A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 110 mOhm @ 20A, 20V,

خواہش کی فہرست

CMF10120D

حصہ اسٹاک: 1120

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 24A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 220 mOhm @ 10A, 20V,

خواہش کی فہرست

C3M0120090D

حصہ اسٹاک: 10936

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 23A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 155 mOhm @ 15A, 15V,

خواہش کی فہرست

C2M0040120D

حصہ اسٹاک: 2045

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 52 mOhm @ 40A, 20V,

خواہش کی فہرست

C2M0160120D

حصہ اسٹاک: 8382

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 19A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 196 mOhm @ 10A, 20V,

خواہش کی فہرست

C3M0065100J-TR

حصہ اسٹاک: 93

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C2M1000170J

حصہ اسٹاک: 12480

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

خواہش کی فہرست

C3M0075120J-TR

حصہ اسٹاک: 280

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

E3M0065090D

حصہ اسٹاک: 9953

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

E3M0280090D

حصہ اسٹاک: 8442

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0065090D

حصہ اسٹاک: 6981

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 36A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C3M0065090J

حصہ اسٹاک: 6843

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 15V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 20A, 15V,

خواہش کی فہرست

C2M0280120D

حصہ اسٹاک: 12900

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 370 mOhm @ 6A, 20V,

خواہش کی فہرست

C2M1000170D

حصہ اسٹاک: 13276

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.9A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

خواہش کی فہرست

C2M0080120D

حصہ اسٹاک: 4209

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: SiCFET (Silicon Carbide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 36A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 98 mOhm @ 20A, 20V,

خواہش کی فہرست

36