Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ٹرانجسٹرس - IGBTs - ماڈیولز

  • گھر
  •  
  • ٹرانجسٹرس - IGBTs - ماڈیولز
VS-GP250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GP250SA60S

حصہ اسٹاک: 2995

آئی جی بی ٹی ٹائپ: PT, Trench, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 380A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 893W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.3V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-CPV364M4FPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV364M4FPBF

حصہ اسٹاک: 1364

وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 27A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 63W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 15A,

خواہش کی فہرست
VS-GT105NA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT105NA120UX

حصہ اسٹاک: 640

آئی جی بی ٹی ٹائپ: Trench, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 134A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 463W,

خواہش کی فہرست
VS-CPV364M4KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV364M4KPBF

حصہ اسٹاک: 1291

تشکیل: Three Phase Inverter, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 24A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 63W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 24A,

خواہش کی فہرست
VS-GB100TS60NPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB100TS60NPBF

حصہ اسٹاک: 846

آئی جی بی ٹی ٹائپ: NPT, تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 108A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 390W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.85V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-GA200HS60S1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA200HS60S1

حصہ اسٹاک: 633

تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 480A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 830W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.21V @ 15V, 200A,

خواہش کی فہرست
VS-GA200HS60S1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA200HS60S1PBF

حصہ اسٹاک: 552

تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 480A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 830W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.21V @ 15V, 200A,

خواہش کی فہرست
VS-GB75YF120UT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75YF120UT

حصہ اسٹاک: 258

وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 480W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 4.5V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-GT80DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT80DA120U

حصہ اسٹاک: 976

آئی جی بی ٹی ٹائپ: Trench, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 139A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 658W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.55V @ 15V, 80A,

خواہش کی فہرست
VS-CPV363M4UPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV363M4UPBF

حصہ اسٹاک: 1555

وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 13A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 36W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 6.8A,

خواہش کی فہرست
VS-GB50YF120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50YF120N

حصہ اسٹاک: 620

وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 66A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 330W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 4.5V @ 15V, 75A,

خواہش کی فہرست
VS-GT180DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT180DA120U

حصہ اسٹاک: 758

آئی جی بی ٹی ٹائپ: Trench Field Stop, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 281A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 1087W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-GB70LA60UF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB70LA60UF

حصہ اسٹاک: 3088

آئی جی بی ٹی ٹائپ: NPT, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 111A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 447W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.44V @ 15V, 70A,

خواہش کی فہرست
VS-GT105LA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT105LA120UX

حصہ اسٹاک: 632

آئی جی بی ٹی ٹائپ: NPT, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 134A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 463W,

خواہش کی فہرست
CPV363M4F
Vishay Semiconductor Diodes Division

CPV363M4F

حصہ اسٹاک: 427

تشکیل: Three Phase Inverter, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 16A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 36W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.63V @ 15V, 16A,

خواہش کی فہرست
VS-GT400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT400TH120N

حصہ اسٹاک: 640

آئی جی بی ٹی ٹائپ: Trench, تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 600A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 2119W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

خواہش کی فہرست
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50MT060WHTAPBF

حصہ اسٹاک: 1286

تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 114A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 658W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-GA100TS60SF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GA100TS60SF

حصہ اسٹاک: 662

آئی جی بی ٹی ٹائپ: PT, تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 220A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 780W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.28V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-GB50LA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50LA120UX

حصہ اسٹاک: 3064

آئی جی بی ٹی ٹائپ: NPT, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 84A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 431W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

خواہش کی فہرست
VS-GB50NA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB50NA120UX

حصہ اسٹاک: 3036

آئی جی بی ٹی ٹائپ: NPT, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 84A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 431W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

خواہش کی فہرست
VS-GB75LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75LP120N

حصہ اسٹاک: 618

تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 170A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 658W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ),

خواہش کی فہرست
VS-GB75YF120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75YF120N

حصہ اسٹاک: 322

وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 100A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 480W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 4.5V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division

GA400TD25S

حصہ اسٹاک: 369

تشکیل: Half Bridge, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 250V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 400A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 1350W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 400A,

خواہش کی فہرست
VS-GB75DA120UP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GB75DA120UP

حصہ اسٹاک: 581

آئی جی بی ٹی ٹائپ: NPT, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 658W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 3.8V @ 15V, 75A,

خواہش کی فہرست
VS-GT75NP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT75NP120N

حصہ اسٹاک: 647

تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 150A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 446W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ),

خواہش کی فہرست
VS-CPV362M4UPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPV362M4UPBF

حصہ اسٹاک: 1833

وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 7.2A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 23W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 3.9A,

خواہش کی فہرست
GA200SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division

GA200SA60S

حصہ اسٹاک: 444

تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 200A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 630W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.3V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
GA200SA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division

GA200SA60U

حصہ اسٹاک: 371

تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 200A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 500W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست
VS-GT100DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-GT100DA60U

حصہ اسٹاک: 5378

آئی جی بی ٹی ٹائپ: Trench, تشکیل: Single, وولٹیج - کلکٹر امیٹر خرابی (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - کلکٹر (Ic) (زیادہ سے زیادہ): 184A, طاقت - زیادہ سے زیادہ: 577W, Vce (on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 100A,

خواہش کی فہرست