Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

  • گھر
  •  
  • ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل
IRL620STRR
Vishay Siliconix

IRL620STRR

حصہ اسٹاک: 9184

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF730L
Vishay Siliconix

IRF730L

حصہ اسٹاک: 5937

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 400V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFP460P
Vishay Siliconix

IRFP460P

حصہ اسٹاک: 9214

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 270 mOhm @ 12A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF9520STRL
Vishay Siliconix

IRF9520STRL

حصہ اسٹاک: 9065

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFR9310TR
Vishay Siliconix

IRFR9310TR

حصہ اسٹاک: 9113

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 400V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFBC30ASTRR
Vishay Siliconix

IRFBC30ASTRR

حصہ اسٹاک: 9063

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFI740GLC
Vishay Siliconix

IRFI740GLC

حصہ اسٹاک: 8962

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 400V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 550 mOhm @ 3.4A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF634NPBF
Vishay Siliconix

IRF634NPBF

حصہ اسٹاک: 9184

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 250V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 435 mOhm @ 4.8A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFS11N50ATRL
Vishay Siliconix

IRFS11N50ATRL

حصہ اسٹاک: 9131

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

خواہش کی فہرست
SIR412DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR412DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 139037

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 25V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 12 mOhm @ 10A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFR010TR
Vishay Siliconix

IRFR010TR

حصہ اسٹاک: 9059

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF840STRR
Vishay Siliconix

IRF840STRR

حصہ اسٹاک: 9053

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRL620STRL
Vishay Siliconix

IRL620STRL

حصہ اسٹاک: 9121

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFBE30S
Vishay Siliconix

IRFBE30S

حصہ اسٹاک: 9064

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 800V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFR9024
Vishay Siliconix

IRFR9024

حصہ اسٹاک: 9070

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFI520G
Vishay Siliconix

IRFI520G

حصہ اسٹاک: 9014

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 270 mOhm @ 4.3A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF630L
Vishay Siliconix

IRF630L

حصہ اسٹاک: 9064

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRLI630G
Vishay Siliconix

IRLI630G

حصہ اسٹاک: 8983

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 400 mOhm @ 3.7A, 5V,

خواہش کی فہرست
IRFR010TRR
Vishay Siliconix

IRFR010TRR

حصہ اسٹاک: 9022

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF9620L
Vishay Siliconix

IRF9620L

حصہ اسٹاک: 9074

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFR9010TRL
Vishay Siliconix

IRFR9010TRL

حصہ اسٹاک: 9044

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFZ10
Vishay Siliconix

IRFZ10

حصہ اسٹاک: 5922

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 200 mOhm @ 6A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF820AS
Vishay Siliconix

IRF820AS

حصہ اسٹاک: 9014

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFBE30L
Vishay Siliconix

IRFBE30L

حصہ اسٹاک: 9151

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 800V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 Ohm @ 2.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFL214TR
Vishay Siliconix

IRFL214TR

حصہ اسٹاک: 9095

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 250V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 790mA (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2 Ohm @ 470mA, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFZ44L
Vishay Siliconix

IRFZ44L

حصہ اسٹاک: 9155

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 50A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 28 mOhm @ 31A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF830AS
Vishay Siliconix

IRF830AS

حصہ اسٹاک: 9111

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFBE20S
Vishay Siliconix

IRFBE20S

حصہ اسٹاک: 9083

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 800V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRL530S
Vishay Siliconix

IRL530S

حصہ اسٹاک: 9109

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 15A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 160 mOhm @ 9A, 5V,

خواہش کی فہرست
IRFR420TRL
Vishay Siliconix

IRFR420TRL

حصہ اسٹاک: 9100

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFDC20
Vishay Siliconix

IRFDC20

حصہ اسٹاک: 9127

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 320mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

خواہش کی فہرست
IRL530STRR
Vishay Siliconix

IRL530STRR

حصہ اسٹاک: 8975

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 15A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 160 mOhm @ 9A, 5V,

خواہش کی فہرست
IRL540STRR
Vishay Siliconix

IRL540STRR

حصہ اسٹاک: 9147

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 28A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4V, 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 77 mOhm @ 17A, 5V,

خواہش کی فہرست
IRF830AL
Vishay Siliconix

IRF830AL

حصہ اسٹاک: 8975

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF740LCSTRR
Vishay Siliconix

IRF740LCSTRR

حصہ اسٹاک: 9025

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 400V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 550 mOhm @ 6A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFBC20STRR
Vishay Siliconix

IRFBC20STRR

حصہ اسٹاک: 9063

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

خواہش کی فہرست