ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

2N7002PM,315

حصہ اسٹاک: 2530

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 300mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V,

2N7002T,215

حصہ اسٹاک: 2571

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 300mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K,215

حصہ اسٹاک: 892

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 340mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000,126

حصہ اسٹاک: 9622

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 300mA (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002PT,115

حصہ اسٹاک: 8856

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 310mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002BKT,115

حصہ اسٹاک: 8863

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 290mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

BUK7Y25-80E/GFX

حصہ اسٹاک: 2567

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 39A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y25-80E/CX

حصہ اسٹاک: 2511

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 39A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 10A, 10V,

BUK7Y25-60E/GFX

حصہ اسٹاک: 2552

BUK761R7-40E/GFJ

حصہ اسٹاک: 2563

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V,

BUK761R5-40EJ

حصہ اسٹاک: 2572

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.51 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9C1R3-40EJ

حصہ اسٹاک: 57

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 190A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.3 mOhm @ 90A, 5V,

BUK951R8-40EQ

حصہ اسٹاک: 2593

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V,

BUK9C5R3-100EJ

حصہ اسٹاک: 2508

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V,

BUK9C3R8-80EJ

حصہ اسٹاک: 2594

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V,

BUK9C2R2-60EJ

حصہ اسٹاک: 2531

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V,

BUK7C4R5-100EJ

حصہ اسٹاک: 2529

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V,

BUK7C5R4-100EJ

حصہ اسٹاک: 2551

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V,

BUK7C3R1-80EJ

حصہ اسٹاک: 2547

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V,

BUK7C3R8-80EJ

حصہ اسٹاک: 2556

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V,

BUK7C1R8-60EJ

حصہ اسٹاک: 6258

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V,

BUK7C1R4-40EJ

حصہ اسٹاک: 2529

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V,

BUK7C1R2-40EJ

حصہ اسٹاک: 2518

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V,

BUK9Y9R9-80E,115

حصہ اسٹاک: 2547

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V,

BUK9Y98-80E,115

حصہ اسٹاک: 2588

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V,

BUK9Y7R8-80E,115

حصہ اسٹاک: 2582

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V,

BUK9E1R8-40E,127

حصہ اسٹاک: 2573

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E8R5-40E,127

حصہ اسٹاک: 6339

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 75A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

BUK9E6R1-100E,127

حصہ اسٹاک: 2510

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E4R9-60E,127

حصہ اسٹاک: 2556

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E4R4-80E,127

حصہ اسٹاک: 2545

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E3R7-60E,127

حصہ اسٹاک: 2588

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E2R8-60E,127

حصہ اسٹاک: 2547

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E3R2-40E,127

حصہ اسٹاک: 2570

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

BUK9E1R9-40E,127

حصہ اسٹاک: 2502

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V,

BUK9E2R3-40E,127

حصہ اسٹاک: 2570

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 120A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,