ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 7

2N7335

حصہ اسٹاک: 2928

ایف ای ٹی کی قسم: 4 P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 750mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

2N7334

حصہ اسٹاک: 2895

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60DSKM24T3G

حصہ اسٹاک: 765

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Super Junction, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 95A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM100H45STG

حصہ اسٹاک: 605

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V (1kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 18A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 2.5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTMC120TAM33CTPAG

حصہ اسٹاک: 107

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 78A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 3mA (Typ),

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50H14FT3G

حصہ اسٹاک: 1149

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 26A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 1mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTMC120AM25CT3AG

حصہ اسٹاک: 283

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 113A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 4mA (Typ),

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTSM120AM08CT6AG

حصہ اسٹاک: 144

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 370A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 10mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTSM120TAM33CTPAG

حصہ اسٹاک: 177

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 112A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 3mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTSM120AM09CD3AG

حصہ اسٹاک: 195

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 337A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 9mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTSM120AM14CD3AG

حصہ اسٹاک: 248

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 337A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 9mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

حصہ اسٹاک: 589

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 74A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 2mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTSM120AM25CT3AG

حصہ اسٹاک: 290

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 148A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 4mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTMC120AM08CD3AG

حصہ اسٹاک: 68

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 250A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 10mA (Typ),

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50HM65FT3G

حصہ اسٹاک: 692

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 51A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 2.5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50AM38STG

حصہ اسٹاک: 559

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 90A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

حصہ اسٹاک: 480

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V (1kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 18A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 2.5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

حصہ اسٹاک: 292

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V (1kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 65A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 6mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

حصہ اسٹاک: 372

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 150A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 6mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

حصہ اسٹاک: 1785

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 1mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

حصہ اسٹاک: 1187

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 37A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 1mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM100A13DG

حصہ اسٹاک: 505

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V (1kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 65A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 6mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

حصہ اسٹاک: 1155

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Super Junction, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 95A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

حصہ اسٹاک: 858

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V (1kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 18A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 2.5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

حصہ اسٹاک: 728

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1000V (1kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 43A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

حصہ اسٹاک: 63

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Silicon Carbide (SiC), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 220A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.4V @ 30mA (Typ),

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

حصہ اسٹاک: 799

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 89A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 2.5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

حصہ اسٹاک: 1635

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 39A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

حصہ اسٹاک: 860

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 72A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 2mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

حصہ اسٹاک: 1954

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 800V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 28A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 2mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

حصہ اسٹاک: 880

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 46A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 2.5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60AM242G

حصہ اسٹاک: 951

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 95A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 5mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

حصہ اسٹاک: 440

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 163A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 10mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTM120DU15G

حصہ اسٹاک: 383

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 1200V (1.2kV), موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 5V @ 10mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

حصہ اسٹاک: 1490

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 72A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

خواہش کی فہرست

Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

حصہ اسٹاک: 401

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Super Junction, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 95A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.9V @ 5mA,

خواہش کی فہرست