Menu
اردواردو
آر ایف آر / آرڈر
0آر ایف آر / آرڈر

ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل

  • گھر
  •  
  • ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل
IRFU7440PBF
Infineon Technologies

IRFU7440PBF

حصہ اسٹاک: 42650

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 90A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.4 mOhm @ 90A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRLB8314PBF
Infineon Technologies

IRLB8314PBF

حصہ اسٹاک: 68466

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 130A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.4 mOhm @ 68A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP034NE7N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 23187

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 75V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRL8113PBF
Infineon Technologies

IRL8113PBF

حصہ اسٹاک: 41003

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 105A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6 mOhm @ 21A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies

IPSA70R1K2P7SAKMA1

حصہ اسٹاک: 2796

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 700V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.2 Ohm @ 900mA, 10V,

خواہش کی فہرست
IRL60S216
Infineon Technologies

IRL60S216

حصہ اسٹاک: 18402

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 195A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.95 mOhm @ 100A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPAW60R190CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R190CEXKSA1

حصہ اسٹاک: 56438

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 26.7A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R750P7XKSA1

حصہ اسٹاک: 39823

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 800V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPA057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA057N06N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 2064

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5.7 mOhm @ 60A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP530N15N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 2849

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 150V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 21A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 8V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 53 mOhm @ 18A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF3315PBF
Infineon Technologies

IRF3315PBF

حصہ اسٹاک: 38844

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 150V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 23A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 70 mOhm @ 12A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPA075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA075N15N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 3045

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 150V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 43A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 8V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 7.5 mOhm @ 43A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP100N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N08S2L07AKSA1

حصہ اسٹاک: 52683

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 75V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.8 mOhm @ 80A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF530NSTRLPBF
Infineon Technologies

IRF530NSTRLPBF

حصہ اسٹاک: 128633

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 17A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 9A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R170CFD7XKSA1

حصہ اسٹاک: 3037

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 14A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 170 mOhm @ 6A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRLB3036PBF
Infineon Technologies

IRLB3036PBF

حصہ اسٹاک: 17506

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 195A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP086N10N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 38790

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 80A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8.6 mOhm @ 73A, 10V,

خواہش کی فہرست
SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW11N80C3FKSA1

حصہ اسٹاک: 1610

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 800V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R065C7XKSA1

حصہ اسٹاک: 10290

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 33A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 65 mOhm @ 17.1A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF300P227
Infineon Technologies

IRF300P227

حصہ اسٹاک: 10886

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 300V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 50A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 40 mOhm @ 30A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF135B203
Infineon Technologies

IRF135B203

حصہ اسٹاک: 23939

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 135V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 129A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8.4 mOhm @ 77A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies

IPI60R125CPXKSA1

حصہ اسٹاک: 11826

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 25A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 125 mOhm @ 16A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies

IPP90R340C3XKSA1

حصہ اسٹاک: 11890

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 900V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 15A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 340 mOhm @ 9.2A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

حصہ اسٹاک: 6140

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 43.3A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 80 mOhm @ 17.6A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP076N12N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 2056

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 120V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 7.6 mOhm @ 100A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFP250MPBF
Infineon Technologies

IRFP250MPBF

حصہ اسٹاک: 36997

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 75 mOhm @ 18A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFI4510GPBF
Infineon Technologies

IRFI4510GPBF

حصہ اسٹاک: 35793

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 35A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 13.5 mOhm @ 21A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies

IRF1010EZSTRLP

حصہ اسٹاک: 88038

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 75A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8.5 mOhm @ 51A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R360P7SXKSA1

حصہ اسٹاک: 55490

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 650V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 360 mOhm @ 2.7A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF1407PBF
Infineon Technologies

IRF1407PBF

حصہ اسٹاک: 31387

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 75V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 130A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 7.8 mOhm @ 78A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R280P7XKSA1

حصہ اسٹاک: 31589

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 12A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 280 mOhm @ 3.8A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R090CFD7XKSA1

حصہ اسٹاک: 2131

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 25A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 11.4A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPP126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP126N10N3GXKSA1

حصہ اسٹاک: 49483

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 58A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 6V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 12.3 mOhm @ 46A, 10V,

خواہش کی فہرست
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125C6FKSA1

حصہ اسٹاک: 3548

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRFB23N15DPBF
Infineon Technologies

IRFB23N15DPBF

حصہ اسٹاک: 39026

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 150V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 23A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 14A, 10V,

خواہش کی فہرست
IRF200P223
Infineon Technologies

IRF200P223

حصہ اسٹاک: 10451

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 11.5 mOhm @ 60A, 10V,

خواہش کی فہرست