قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.5V, 3.3V, میکروسلز کی تعداد: 512, گیٹس کی تعداد: 48000,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 6.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.2ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.5V, 3.3V, میکروسلز کی تعداد: 768, گیٹس کی تعداد: 72000,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 192,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.5V, 3.3V, میکروسلز کی تعداد: 1536, گیٹس کی تعداد: 144000,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.5V, 3.3V, میکروسلز کی تعداد: 768, گیٹس کی تعداد: 72000,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 192,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 20.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 512,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 20.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 6.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 6.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 64,
