اہلیت کی حد: 15 ~ 60pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 7 ~ 25pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 200V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 9 ~ 35pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 2.5 ~ 11pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 200V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 9 ~ 35pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 15 ~ 60pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 15 ~ 60pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 9 ~ 35pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 500 @ 1MHz, سائز / طول و عرض: 0.375" Dia (9.53mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 4.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Alumina, Q @ فریق: 2000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.150" Dia (3.81mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 4.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 3000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.118" Dia (3.00mm),
اہلیت کی حد: 0.8 ~ 8pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Side, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 3000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 4.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Side, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 3000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 0.8 ~ 8pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 3000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 4.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 3000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 0.4 ~ 2.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 4000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 4.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 3000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 2.5 ~ 10pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 1000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 2.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 3000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 1 ~ 5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 1000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 2.5 ~ 10pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 1000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 8.5 ~ 25pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 300 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 0.4 ~ 2.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 4000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.140" Dia (3.56mm),
اہلیت کی حد: 0.3 ~ 1.2pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 500V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Sapphire, Q @ فریق: 5000 @ 250MHz, سائز / طول و عرض: 0.094" Dia (2.39mm),
اہلیت کی حد: 2.5 ~ 10pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 1000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 2.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 3000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 1 ~ 5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 1000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 0.6 ~ 2.5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 3000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 2.5 ~ 10pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 250V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Ceramic, Q @ فریق: 1000 @ 100MHz, سائز / طول و عرض: 0.180" L x 0.167" W (4.57mm x 4.24mm),
اہلیت کی حد: 0.4 ~ 10pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 200V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ فریق: 1000 @ 10MHz, سائز / طول و عرض: 0.283" L x 0.213" W (7.20mm x 5.40mm),
اہلیت کی حد: 0.7 ~ 20pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ فریق: 1000 @ 10MHz, سائز / طول و عرض: 0.283" L x 0.213" W (7.20mm x 5.40mm),
اہلیت کی حد: 0.5 ~ 15pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ فریق: 1000 @ 10MHz, سائز / طول و عرض: 0.283" L x 0.213" W (7.20mm x 5.40mm),
اہلیت کی حد: 0.3 ~ 5pF, ایڈجسٹمنٹ کی قسم: Top, وولٹیج - شرح شدہ: 100V, ڑانکتا ہوا ماد .ہ: Polytetrafluoroethylene (PTFE), Q @ فریق: 1000 @ 10MHz, سائز / طول و عرض: 0.283" L x 0.213" W (7.20mm x 5.40mm),
