قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 1.65V ~ 1.95V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 5.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 4, میکروسلز کی تعداد: 128, گیٹس کی تعداد: 6000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 256, گیٹس کی تعداد: 12000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 1.65V ~ 1.95V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 1.7V ~ 1.9V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 16, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.3V ~ 2.7V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 32, میکروسلز کی تعداد: 512,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 12, میکروسلز کی تعداد: 384, گیٹس کی تعداد: 18000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 32, گیٹس کی تعداد: 1000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 32, گیٹس کی تعداد: 1000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 24.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 48, میکروسلز کی تعداد: 192, گیٹس کی تعداد: 8000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 5.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 1.65V ~ 1.95V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 24, میکروسلز کی تعداد: 384,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 5.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.3V ~ 2.7V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 4, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 5.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 1.65V ~ 1.95V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 4, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 18.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 48, میکروسلز کی تعداد: 192, گیٹس کی تعداد: 8000,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.2ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.5V, 3.3V, میکروسلز کی تعداد: 512, گیٹس کی تعداد: 48000,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 32,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 12.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 64,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, میکروسلز کی تعداد: 256,
قابل پروگرام قسم: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 6.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, میکروسلز کی تعداد: 128,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 20.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 6, میکروسلز کی تعداد: 108, گیٹس کی تعداد: 2400,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 3V ~ 3.6V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 144, گیٹس کی تعداد: 3200,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 7.5ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.37V ~ 2.62V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 16, میکروسلز کی تعداد: 288, گیٹس کی تعداد: 6400,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 2, میکروسلز کی تعداد: 36, گیٹس کی تعداد: 800,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 15.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 144, گیٹس کی تعداد: 3200,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 5.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 2.37V ~ 2.62V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 4, میکروسلز کی تعداد: 72, گیٹس کی تعداد: 1600,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.5V ~ 5.5V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 4, میکروسلز کی تعداد: 72, گیٹس کی تعداد: 1600,
قابل پروگرام قسم: In System Programmable, تاخیر کا وقت ٹی پی ڈی (1) زیادہ سے زیادہ: 10.0ns, وولٹیج کی فراہمی - اندرونی: 4.75V ~ 5.25V, منطق کے عناصر / بلاکس کی تعداد: 8, میکروسلز کی تعداد: 128, گیٹس کی تعداد: 2500,
