ڈایڈس - ریکٹفایرس - سنگل | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

10TQ035STRR

حصہ اسٹاک: 171

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 570mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

حصہ اسٹاک: 82

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 570mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

حصہ اسٹاک: 173

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 10A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

حصہ اسٹاک: 98

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 10A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

حصہ اسٹاک: 157

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 10A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

حصہ اسٹاک: 94

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 800V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 10A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

حصہ اسٹاک: 76

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.33V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 310ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

حصہ اسٹاک: 99

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.33V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 310ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

حصہ اسٹاک: 161

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.33V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 310ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

حصہ اسٹاک: 131

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1000V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.33V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 310ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

حصہ اسٹاک: 5088

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

حصہ اسٹاک: 145

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

حصہ اسٹاک: 152

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

حصہ اسٹاک: 153

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

حصہ اسٹاک: 112

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.2V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 145ns,

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

حصہ اسٹاک: 160

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 18A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 18A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

حصہ اسٹاک: 71

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 760mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

حصہ اسٹاک: 130

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 760mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

حصہ اسٹاک: 112

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 950mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

حصہ اسٹاک: 135

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 80V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 950mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

حصہ اسٹاک: 74

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 510mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

حصہ اسٹاک: 104

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 660mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

حصہ اسٹاک: 95

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 660mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

حصہ اسٹاک: 137

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 660mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

حصہ اسٹاک: 156

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

حصہ اسٹاک: 137

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

حصہ اسٹاک: 5037

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 180A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 600mV @ 180A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

حصہ اسٹاک: 91

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 910mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

حصہ اسٹاک: 5020

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 80V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 910mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

حصہ اسٹاک: 69

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 490mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

حصہ اسٹاک: 130

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

حصہ اسٹاک: 5051

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 40V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

حصہ اسٹاک: 135

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

حصہ اسٹاک: 74

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

حصہ اسٹاک: 120

ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 120A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 570mV @ 120A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Microsemi Corporation

1N6631US

حصہ اسٹاک: 4317

ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (Io): 1.4A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.4V @ 1.4A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ریورس ریکوری ٹائم (ٹرائل): 60ns,

خواہشات کی فہرست