ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

NX7002BKXBZ

حصہ اسٹاک: 151844

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 260mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

حصہ اسٹاک: 189968

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.9A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

حصہ اسٹاک: 194648

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 350mA (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Nexperia USA Inc.

NX6020CAKSX

حصہ اسٹاک: 2501

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 170mA (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7504TRPBF

حصہ اسٹاک: 176860

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 700mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7304TRPBF

حصہ اسٹاک: 196744

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 700mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IPG20N06S415AATMA1

حصہ اسٹاک: 108935

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 20µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 185794

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 485mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 171457

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 117470

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 16A, 35A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 158519

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 189530

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 117423

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 40A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 100159

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 63261

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 160A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 2544

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 63492

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 103126

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 70505

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 36.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

حصہ اسٹاک: 152436

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 30A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 190258

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 25V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

حصہ اسٹاک: 163064

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9A, 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

حصہ اسٹاک: 196980

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

حصہ اسٹاک: 69246

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

حصہ اسٹاک: 181504

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTMFD4C88NT3G

حصہ اسٹاک: 40053

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11.7A, 14.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NVMFD5483NLT3G

حصہ اسٹاک: 73044

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

MCH6663-TL-H

حصہ اسٹاک: 186117

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.8A, 1.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 188 mOhm @ 900mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

حصہ اسٹاک: 146068

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 360mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

حصہ اسٹاک: 125578

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, 4.5V Drive, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

حصہ اسٹاک: 135796

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.6V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

حصہ اسٹاک: 175270

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 100µA,

خواہشات کی فہرست

Panasonic Electronic Components

MTM78E2B0LBF

حصہ اسٹاک: 117955

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 2A, 4V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.3V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Panasonic Electronic Components

UP0187B00L

حصہ اسٹاک: 2665

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 100mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 1µA,

خواہشات کی فہرست

Texas Instruments

CSD87588N

حصہ اسٹاک: 140862

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 25A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.9V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Micro Commercial Co

SIL2623-TP

حصہ اسٹاک: 2508

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست