ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

SI6955ADQ-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2891

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4834CDY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 135916

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4230DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2831

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7216DN-T1-E3

حصہ اسٹاک: 113570

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI1034X-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2786

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 180mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2773

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.4A, 960mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7222DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2787

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.6V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6966EDQ-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2830

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 600mV @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4500BDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2858

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.6A, 3.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

حصہ اسٹاک: 139446

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

SP8M6TB

حصہ اسٹاک: 2678

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A, 3.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

SP8J4TB

حصہ اسٹاک: 2713

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF8915TR

حصہ اسٹاک: 2721

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.9A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7380PBF

حصہ اسٹاک: 76115

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7501TR

حصہ اسٹاک: 2653

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 700mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7325PBF

حصہ اسٹاک: 2703

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7306PBF

حصہ اسٹاک: 89560

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA1

حصہ اسٹاک: 2968

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 20µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTHC5513T1

حصہ اسٹاک: 2668

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.9A, 2.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NDS9943

حصہ اسٹاک: 2643

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, 2.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 125 mOhm @ 3A, 10V,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDS6961A_F011

حصہ اسٹاک: 2716

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDSS2407

حصہ اسٹاک: 105427

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 62V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 110 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

MVDF1N05ER2G

حصہ اسٹاک: 2912

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

MMDF1N05ER2G

حصہ اسٹاک: 2931

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDW2503NZ

حصہ اسٹاک: 2736

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTZD3154NT2G

حصہ اسٹاک: 2755

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 540mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDS4935

حصہ اسٹاک: 2757

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FD6M045N06

حصہ اسٹاک: 2803

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 60A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.5 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

ZXMD65P02N8TC

حصہ اسٹاک: 2713

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

ZXMD63P02XTC

حصہ اسٹاک: 2747

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 700mV @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

ZDM4206NTC

حصہ اسٹاک: 2742

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN62D0UDW-7

حصہ اسٹاک: 163902

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 350mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Renesas Electronics America

UPA2373T1P-E4-A

حصہ اسٹاک: 2961

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

خواہشات کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

حصہ اسٹاک: 2756

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.2V @ 200µA,

خواہشات کی فہرست

EPC

EPC2104

حصہ اسٹاک: 24318

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: GaNFET (Gallium Nitride), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 23A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 5.5mA,

خواہشات کی فہرست

IXYS

GWM220-004P3-SMD SAM

حصہ اسٹاک: 2762

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 180A, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست