ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

SI5933DC-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2867

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4563DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2704

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI6969BDQ-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2784

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 800mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

VQ1006P-E3

حصہ اسٹاک: 2906

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 90V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 400mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4942DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2870

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2808

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2905

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.3A, 7.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5509DC-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2749

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.1A, 4.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 118908

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.4A, 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.7V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4967DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2883

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 450mV @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 2875

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI3529DV-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2831

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.5A, 1.95A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 125 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDMC8200S_F106

حصہ اسٹاک: 3352

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, 8.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FW812-TL-E

حصہ اسٹاک: 2832

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 35V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.6V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTLUD3191PZTBG

حصہ اسٹاک: 2826

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDS8962C

حصہ اسٹاک: 2774

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A, 5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTMC1300R2

حصہ اسٹاک: 3306

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.2A, 1.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDW9926NZ

حصہ اسٹاک: 2770

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDR8308P

حصہ اسٹاک: 2748

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

EMH2407-TL-H

حصہ اسٹاک: 165186

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

ZXMD65P03N8TA

حصہ اسٹاک: 2983

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 55 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTC

حصہ اسٹاک: 2768

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TC

حصہ اسٹاک: 2701

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 250 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA (Min),

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7350PBF

حصہ اسٹاک: 2677

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2.1A, 1.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7317PBF

حصہ اسٹاک: 75561

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.6A, 5.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 700mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF7338PBF

حصہ اسٹاک: 2697

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.3A, 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

حصہ اسٹاک: 2780

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.7A, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

حصہ اسٹاک: 2844

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 200mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3.1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

MP6M11TCR

حصہ اسٹاک: 2920

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

MP6K14TCR

حصہ اسٹاک: 2899

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

حصہ اسٹاک: 2655

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, 2.5A,

خواہشات کی فہرست

Texas Instruments

CSD75208W1015T

حصہ اسٹاک: 192795

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual) Common Source, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

STMicroelectronics

STS1DN45K3

حصہ اسٹاک: 2689

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 450V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 500mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4.5V @ 50µA,

خواہشات کی فہرست

EPC

EPC2103

حصہ اسٹاک: 23026

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: GaNFET (Gallium Nitride), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 28A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 7mA,

خواہشات کی فہرست

EPC

EPC2105

حصہ اسٹاک: 24303

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Half Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: GaNFET (Gallium Nitride), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 80V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 9.5A, 38A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA,

خواہشات کی فہرست

IXYS

GWM120-0075X1-SMDSAM

حصہ اسٹاک: 2788

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 75V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 110A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست