ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - اراے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

SI7940DP-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 2920

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 12V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 77138

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 181122

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

حصہ اسٹاک: 9952

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Tc), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

حصہ اسٹاک: 154905

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTMD6N04R2G

حصہ اسٹاک: 3054

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 40V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NVMFD5877NLWFT3G

حصہ اسٹاک: 181356

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDMQ8403

حصہ اسٹاک: 56113

ایف ای ٹی کی قسم: 4 N-Channel (H-Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.1A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 110 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDS6892A

حصہ اسٹاک: 168833

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTZD3152PT1G

حصہ اسٹاک: 122573

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 430mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDG6317NZ

حصہ اسٹاک: 187420

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 700mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 400 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTMD4820NR2G

حصہ اسٹاک: 199876

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.9A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

EMH2411R-TL-H

حصہ اسٹاک: 3004

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, 2.5V Drive, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 36.5 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDS6930A

حصہ اسٹاک: 116150

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 40 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NTLTD7900ZR2G

حصہ اسٹاک: 2926

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

FDS8984-F085

حصہ اسٹاک: 10834

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF

حصہ اسٹاک: 110076

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

IRFI4019H-117P

حصہ اسٹاک: 26279

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 150V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.7A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4.9V @ 50µA,

خواہشات کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

حصہ اسٹاک: 9939

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, 4V Drive, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 2A (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 100µA,

خواہشات کی فہرست

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

حصہ اسٹاک: 172252

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 180mA, 100mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN61D9UDW-13

حصہ اسٹاک: 150473

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 350mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-7

حصہ اسٹاک: 115475

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 230mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN3055LFDB-7

حصہ اسٹاک: 130565

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMC3025LSD-13

حصہ اسٹاک: 117443

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6.5A, 4.2A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 2V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN2019UTS-13

حصہ اسٹاک: 148284

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.4A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 18.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 950mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-13

حصہ اسٹاک: 103397

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 220mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMC2450UV-7

حصہ اسٹاک: 102178

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.03A, 700mA, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 900mV @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7

حصہ اسٹاک: 130944

ایف ای ٹی کی قسم: N and P-Channel, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3.8A, 2.5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 55 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Sanken

SLA5201

حصہ اسٹاک: 6190

ایف ای ٹی کی قسم: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 600V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 7A,

خواہشات کی فہرست

Sanken

SLA5075

حصہ اسٹاک: 7543

ایف ای ٹی کی قسم: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 500V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 4V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Rohm Semiconductor

UT6J3TCR

حصہ اسٹاک: 114339

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 3A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 85 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Micro Commercial Co

MCCD2004-TP

حصہ اسٹاک: 153498

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

حصہ اسٹاک: 3027

ایف ای ٹی کی قسم: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 10.1A (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 1mA,

خواہشات کی فہرست

Central Semiconductor Corp

CTLDM8120-M832DS BK

حصہ اسٹاک: 3301

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 860mA (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Texas Instruments

TPS1120DG4

حصہ اسٹاک: 42271

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Logic Level Gate, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 15V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.17A, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 1.5V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4953DCS RLG

حصہ اسٹاک: 10756

ایف ای ٹی کی قسم: 2 P-Channel (Dual), ایف ای ٹی کی خصوصیت: Standard, ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 60 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID: 3V @ 250µA,

خواہشات کی فہرست