ڈایڈس - ریکٹفایرس - ارے | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

MBRD660CTG

حصہ اسٹاک: 81424

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 3A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 700mV @ 3A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

حصہ اسٹاک: 69

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 2 Independent, ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 4A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.05V @ 8A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

حصہ اسٹاک: 1564

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 150A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 920mV @ 150A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

حصہ اسٹاک: 1548

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 200A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 200A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

حصہ اسٹاک: 1563

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 150A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 150A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

حصہ اسٹاک: 1533

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 200A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 840mV @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

حصہ اسٹاک: 1212

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 80V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 400A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 840mV @ 200A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

حصہ اسٹاک: 1519

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 200A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 750mV @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

حصہ اسٹاک: 3870

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 2 Independent, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 50A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 700mV @ 50A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

حصہ اسٹاک: 1156

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 400A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 750mV @ 200A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

حصہ اسٹاک: 3030

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 2 Independent, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 100A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 920mV @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

حصہ اسٹاک: 1552

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 100A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

حصہ اسٹاک: 1213

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 200A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.3V @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

حصہ اسٹاک: 972

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 300A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 300A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

حصہ اسٹاک: 1324

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Series Connection, ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 1400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 200A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.1V @ 200A, سپیڈ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

حصہ اسٹاک: 1192

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Anode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, Reverse Polarity, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 100V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 500A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 250A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

حصہ اسٹاک: 3096

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 2 Independent, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 120V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 100A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

حصہ اسٹاک: 1844

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 35V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 120A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 750mV @ 60A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

حصہ اسٹاک: 1342

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 300A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 100A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

حصہ اسٹاک: 1491

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 30V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 120A (DC), وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 60A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

GeneSiC Semiconductor

FST160150

حصہ اسٹاک: 1636

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 150V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 80A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 80A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

حصہ اسٹاک: 100592

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 120V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 15A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 970mV @ 15A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

حصہ اسٹاک: 109388

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 650mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

حصہ اسٹاک: 128134

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 15A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 730mV @ 15A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

حصہ اسٹاک: 102836

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 580mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

حصہ اسٹاک: 67167

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 20A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 620mV @ 20A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

حصہ اسٹاک: 116952

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 20A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 680mV @ 20A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

حصہ اسٹاک: 121490

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 60V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 15A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 730mV @ 15A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

حصہ اسٹاک: 47709

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 45V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 30A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 640mV @ 30A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

حصہ اسٹاک: 159782

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 120V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.01V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

حصہ اسٹاک: 58911

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 120V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 20A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 880mV @ 20A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

حصہ اسٹاک: 40301

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 920mV @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

حصہ اسٹاک: 120106

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 90V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 5A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 850mV @ 5A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

حصہ اسٹاک: 157

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Standard, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 400V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 20A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.25V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

حصہ اسٹاک: 152

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 1 Pair Common Cathode, ڈایڈڈ قسم: Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 200V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 20A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.23V @ 20A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

حصہ اسٹاک: 3747

ڈایڈڈ کنفیگریشن: 2 Independent, ڈایڈڈ قسم: Silicon Carbide Schottky, وولٹیج - ڈی سی ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ): 600V, موجودہ - اوسط سے بہتر شدہ (آئو) (فی ڈایڈڈ): 10A, وولٹیج - آگے (VF) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر: 1.7V @ 10A, سپیڈ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

خواہشات کی فہرست