ٹرانجسٹرس - ایف ای ٹی ، موسفٹ - سنگل | مجرد سیمیکمڈکٹر مصنوعات | 100

BSS84LT1

حصہ اسٹاک: 9355

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 130mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

BSS123LT1

حصہ اسٹاک: 9436

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 170mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

BSS138LT1

حصہ اسٹاک: 9391

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 200mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

BS170RLRA

حصہ اسٹاک: 9442

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 500mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

ON Semiconductor

BS170RL1G

حصہ اسٹاک: 9363

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 500mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO080P03SNTMA1

حصہ اسٹاک: 9401

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 12.6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSS84PW L6327

حصہ اسٹاک: 9409

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 150mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSR315PL6327HTSA1

حصہ اسٹاک: 9372

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 620mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSV236SP L6327

حصہ اسٹاک: 9341

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSS83PE6327

حصہ اسٹاک: 9352

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 330mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSS670S2L

حصہ اسٹاک: 9299

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 55V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 540mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSS209PW

حصہ اسٹاک: 9333

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 580mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSS223PW L6327

حصہ اسٹاک: 9365

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 390mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSS192PE6327

حصہ اسٹاک: 9367

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 250V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 190mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.8V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSP317PE6327

حصہ اسٹاک: 9376

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 250V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 430mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSP171PE6327

حصہ اسٹاک: 9351

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSP316PE6327

حصہ اسٹاک: 9340

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 680mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSP170PE6327

حصہ اسٹاک: 9383

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 60V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO4822

حصہ اسٹاک: 9371

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 10 mOhm @ 12.7A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO4420

حصہ اسٹاک: 9294

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 13A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 7.8 mOhm @ 13A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO4410

حصہ اسٹاک: 9347

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO301SPNTMA1

حصہ اسٹاک: 9347

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 12.6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO303SPNTMA1

حصہ اسٹاک: 128634

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 21 mOhm @ 8.9A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSO201SPNTMA1

حصہ اسٹاک: 9359

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 14.9A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 8 mOhm @ 14.9A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSL307SP

حصہ اسٹاک: 9295

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSL211SP

حصہ اسٹاک: 9383

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSL207SP

حصہ اسٹاک: 9307

ایف ای ٹی کی قسم: P-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 20V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 6A (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 2.5V, 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 41 mOhm @ 6A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSC100N03LSGATMA1

حصہ اسٹاک: 9307

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 30V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 13A (Ta), 44A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 10 mOhm @ 30A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BTS282Z E3180A

حصہ اسٹاک: 9259

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 49V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 80A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BSP149L6327HTSA1

حصہ اسٹاک: 9308

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 200V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 660mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 0V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BTS115ANKSA1

حصہ اسٹاک: 9327

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 50V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 15.5A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Infineon Technologies

BTS121ANKSA1

حصہ اسٹاک: 5999

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 22A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

خواہشات کی فہرست

Nexperia USA Inc.

BUK9675-55A,118

حصہ اسٹاک: 172980

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 55V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 20A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 68 mOhm @ 10A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Nexperia USA Inc.

BUK9629-100B,118

حصہ اسٹاک: 116132

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 46A (Tc), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 27 mOhm @ 25A, 10V,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

BSS123W-7

حصہ اسٹاک: 9261

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 170mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 4.5V, 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

خواہشات کی فہرست

Diodes Incorporated

BSS123-7

حصہ اسٹاک: 9289

ایف ای ٹی کی قسم: N-Channel, ٹکنالوجی: MOSFET (Metal Oxide), ڈرین ٹو ماخذ وولٹیج (وی ڈی ایس): 100V, موجودہ - مسلسل ڈرین (شناخت) @ 25 ° C: 170mA (Ta), ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن ، کم Rds آن): 10V, آر ڈی ایس آن (زیادہ سے زیادہ) @ آئی ڈی ، وی جی ایس: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

خواہشات کی فہرست